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Welcome to KOREA nanotronics

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212 인 메모리 컴퓨팅용 멀티 레벨 메모리 소자 및 이를 이용한 메모리 어레이 구조
출원번호 : 10-2024-0201215 (2024.12.30)
211 실리콘 게이티드 다이오드를 이용한 이진화 신경망 회로
[등록결정] [일본]
210 단일 게이트의 피드백 전계효과 전자소자를 이용하는 축적 및 발화 뉴런회로
등록 번호 : ZL201911132679.9 (2024.10.22) [중국]
209 범용 로직 메모리 셀
출원번호 : 24212993.0 (2024.11.14) [유럽]
208 범용 로직 메모리 셀
출원번호 : 2024-200056 (2024.11.15) [일본]
207 범용 로직 메모리 셀
출원번호 : 18/948362 (2024.11.14) [미국]
206 복수의 범용 로직 메모리 셀을 이용한 범용 로직 메모리 블록
출원번호 : 24212983.1 (2024.11.14) [유럽]
205 복수의 범용 로직 메모리 셀을 이용한 범용 로직 메모리 블록
출원번호 : 2024-200069 (2024.11.15) [일본]
204 복수의 범용 로직 메모리 셀을 이용한 범용 로직 메모리 블록
출원번호 : 18/948406 (2024.11.14) [미국]
203 3차원 배열 수직 1T-DRAM
출원번호 : 2024-119259 (2024.07.25) [일본]
202 피드백 전계효과 트랜지스터 기반 링 오실레이터
출원번호 : 18/777,253 (2024.07.18) [미국]
201 3차원 배열 수직 1T-DRAM
출원번호 : 202410855186.2 (2024.06.28) [중국]
200 3차원 배열 수직 1T-DRAM
출원번호 : 113123865 (2024.06.26) [대만]
199 3차원 배열 수직 1T-DRAM
출원번호 : 18/636,876 (2024.04.16) [미국]
198 3차원 배열 수직 1T-DRAM
출원번호 : 24166827.6 (2024.03.27) [E.P.O]
197 게이티드 다이오드 기반 오실레이터를 이용한 진동신경망 회로 장치
출원번호 : 10-2024-0106829 (2024.08.09)
196 정보 암호화가 가능한 게이트 다이오드 기반 진성 난수 발생기
출원번호 : 10-2024-0095589 (2024.07.19)
195 태양전지와 열전소자를 이용한 에너지 하베스팅 시스템
등록 번호 : I840725 (2024.05.01) [대만]
194 실리콘 게이티드 다이오드를 이용한 이진화 신경망 회로
출원번호 : 2023-219824 (2023.12.26) [일본]
193 실리콘 게이티드 다이오드를 이용한 이진화 신경망 회로
출원번호 : 18/396,409 (2023.12.26) [미국]
192 실리콘 게이티드 다이오드를 이용한 이진화 신경망 회로
출원번호 : 10 2023 213 345.8 (2023.12.28) [독일]
191 실리콘 다이오드들을 이용한 스테이트풀 로직 인 메모리
등록 번호 : 10-2658645 (2024.04.15)
190 태양전지와 열전소자를 이용한 에너지 하베스팅 시스템
등록 번호 : 10-2628265 (2024.01.18)
189 태양전지와 열전소자를 이용한 에너지 하베스팅 시스템
등록 번호 : 10-2536107 (2023.05.19)
188 반도체 메모리 소자
출원번호 : 10-2023-0119278 (2023.09.07)
187 피드백 전계효과 트랜지스터 기반 링 오실레이터
출원번호 : 10-2024-0042687 (2024.03.28)
186 준 비휘발성 메모리 소자를 이용한 이진화 신경망 회로
출원번호 : 10-2024-0039833 (2024.03.22)
185 가변형 로직 인 메모리 셀
출원번호 : 11 2022 002961.7 (2023.12.28) [독일]
184 가변형 로직 인 메모리 셀
출원번호 : 2023-580548 (2023.12.27) [일본]
183 가변형 로직 인 메모리 셀
출원번호 : 18/575,617 (2023.12.29) [미국]
182 실리콘 다이오드들을 이용한 스테이트풀 로직 인 메모리
출원번호: 18/575,511 (2023.12.29) [미국]
181 Fabrication of dual gate oxide thin film transistors with split patterned and multi-stacked active layer structures
출원번호 : US 18/138,122 (2023.04.24) [미국]
180 복수의 범용 로직 메모리 셀을 이용한 범용 로직 메모리 블록
출원번호 : 10-2023-0191706 (2023.12.26)
179 범용 로직 메모리 셀
출원번호 : 10-2023-0191705 (2023.12.26)
178 Transposable feedback field-effect electronic device and array circuit using the same
등록 번호 : ZL201811315731.X (2023.11.24) [중국]
177 FEEDBACK FIELD-EFFECT ELECTRONIC DEVICE USING FEEDBACK LOOP OPERATION AND ARRAY CIRCUIT USING FEEDBACK FIELD-EFFECT ELECTRONIC DEVICE
등록번호 : CN 110880347 B (2023.10.03) [중국]
176 실리콘 게이티드 다이오드를 이용한 이진화 신경망 회로
출원번호 : 10-2023-0114457 (2023.08.30)
175 휘발성 및 비휘발성 동작변환 가능한 피드백 전계효과 배열소자 및 이를 이용한 배열 회로
등록번호 : CN 110880537 B (2023.08.08) [중국]
174 LOGIC-IN-MEMORY INVERTER USING FEEDBACK FIELD-EFFECT TRANSISTOR
등록번호 : I814066 (2023.09.01) [대만]
173 Integrate-and-fire neuron circuit using single-gated feedback field-effect transistor
등록번호 : 11699721 (2023.07.11) [미국]
172 Neuron circuit using p-n-p-n diode without external bias voltages
등록번호 : 11531872 (2022.12.20) [미국]
171 p-n-p-n 다이오드를 이용한 무전원의 뉴런 모방 회로
등록번호 : 10-2425488 (2022.07.21)
170 단일 실리콘 소자를 이용한 스파이크 펄스 발생 회로
등록번호 : 10-2321676 (2021.10.29)
169 ENERGY HARVESTING SYSTEM USING A SOLAR CELL AND THERMOELECTRIC DEVICE
등록번호 : 11699770 (2023.07.11) [미국]
168 LOGIC-IN-MEMORY INVERTER USING FEEDBACK FIELD-EFFECT TRANSISTOR
등록번호 : 11695420 (2023.07.04) [미국]
167 복수의 양면 올인원 에너지 장치가 수직 적층된 통합형 양면 올인원 에너지 시스템
등록번호 : 10-2475058 (2022.12.02)
166 피드백 전계효과 전자소자를 이용한 로직 인 메모리 인버터
등록번호 : 10-2481855 (2022.12.22)
165 단일 게이트의 피드백 전계효과 전자소자를 이용하는 축적 및 발화 뉴런회로
등록번호 : 10-2499691 (2023.02.09)
164 실리콘 트랜지스터를 이용한 가변형 로직 인 메모리 소자
등록번호 : 10-2499699 (2023.02.09)
163 가변형 로직 인 메모리 셀
등록번호 : 10-2475066 (2022.12.02)
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