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Welcome to KOREA nanotronics

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186 피드백 전계효과 트랜지스터 기반 링 오실레이터
출원번호 : 10-2024-0042687 (2024.03.28)
185 가변형 로직 인 메모리 셀
출원번호 : 11 2022 002961.7 (2023.12.28) [독일]
184 가변형 로직 인 메모리 셀
출원번호 : 2023-580548 (2023.12.27) [일본]
183 가변형 로직 인 메모리 셀
출원번호 : 18/575,617 (2023.12.29) [미국]
182 실리콘 다이오드들을 이용한 스테이트풀 로직 인 메모리
출원번호: 18/575,511 (2023.12.29) [미국]
181 Fabrication of dual gate oxide thin film transistors with split patterned and multi-stacked active layer structures
출원번호 : US 18/138,122 (2023.04.24) [미국]
180 복수의 범용 로직 메모리 셀을 이용한 범용 로직 메모리 블록
출원번호 : 10-2023-0191706 (2023.12.26)
179 범용 로직 메모리 셀
출원번호 : 10-2023-0191705 (2023.12.26)
178 Transposable feedback field-effect electronic device and array circuit using the same
등록결정 [중국]
177 FEEDBACK FIELD-EFFECT ELECTRONIC DEVICE USING FEEDBACK LOOP OPERATION AND ARRAY CIRCUIT USING FEEDBACK FIELD-EFFECT ELECTRONIC DEVICE
등록번호 : CN 110880347 B (2023.10.03) [중국]
176 실리콘 게이티드 다이오드를 이용한 이진화 신경망 회로
출원번호 : 10-2023-0114457 (2023.08.30)
175 휘발성 및 비휘발성 동작변환 가능한 피드백 전계효과 배열소자 및 이를 이용한 배열 회로
등록번호 : CN 110880537 B (2023.08.08) [중국]
174 LOGIC-IN-MEMORY INVERTER USING FEEDBACK FIELD-EFFECT TRANSISTOR
등록번호 : I814066 (2023.09.01) [대만]
173 Integrate-and-fire neuron circuit using single-gated feedback field-effect transistor
등록번호 : 11699721 (2023.07.11) [미국]
172 Neuron circuit using p-n-p-n diode without external bias voltages
등록번호 : 11531872 (2022.12.20) [미국]
171 p-n-p-n 다이오드를 이용한 무전원의 뉴런 모방 회로
등록번호 : 10-2425488 (2022.07.21)
170 단일 실리콘 소자를 이용한 스파이크 펄스 발생 회로
등록번호 : 10-2321676 (2021.10.29)
169 ENERGY HARVESTING SYSTEM USING A SOLAR CELL AND THERMOELECTRIC DEVICE
등록번호 : 11699770 (2023.07.11) [미국]
168 LOGIC-IN-MEMORY INVERTER USING FEEDBACK FIELD-EFFECT TRANSISTOR
등록번호 : 11695420 (2023.07.04) [미국]
167 복수의 양면 올인원 에너지 장치가 수직 적층된 통합형 양면 올인원 에너지 시스템
등록번호 : 10-2475058 (2022.12.02)
166 피드백 전계효과 전자소자를 이용한 로직 인 메모리 인버터
등록번호 : 10-2481855 (2022.12.22)
165 단일 게이트의 피드백 전계효과 전자소자를 이용하는 축적 및 발화 뉴런회로
등록번호 : 10-2499691 (2023.02.09)
164 실리콘 트랜지스터를 이용한 가변형 로직 인 메모리 소자
등록번호 : 10-2499699 (2023.02.09)
163 가변형 로직 인 메모리 셀
등록번호 : 10-2475066 (2022.12.02)
162 Reconfigurable logic-in-memory device using silicon transistor
등록번호 : I795893 (2023.03.11) [대만]
161 Integrated dual-sided all-in-one energy system including plural vertically stacked dual-sided all-in-one energy apparatuses
등록번호 : 11600759 (2023.03.07) [미국]
160 Reconfigurable logic-in-memory device using silicon transistor
등록번호 : 11469314 (2022.10.11) [미국]
159 Spike pulse generation circuit comprising single silicon device
등록번호 : 11444606 (2022.09.13) [미국]
158 실리콘 다이오드들을 이용한 스테이트풀 로직 인 메모리
출원번호 : PCT/KR2022/015458 (2022.10.13)
157 가변형 로직 인 메모리 셀
출원번호 : PCT/KR2022/015457 (2022.10.13)
156 복수의 양면 올인원 에너지 장치가 수직 적층된 통합형 양면 올인원 에너지 시스템
출원번호 : 17/365,245 (2021.07.01) [미국]
155 트랜지스터
출원번호 : 10-2022-0082831 (2022.07.06)
154 태양전지와 열전소자를 이용한 에너지 하베스팅 시스템
출원번호 : 17/558,488 (2021.12.21) [미국]
153 열전 마이크로 슈퍼커패시터 통합 디바이스 및 그 제조방법
출원번호 : 10,886,329 (2021.01.05) [미국]
152 태양전지, 열전소자 및 인터페이스층을 이용한 에너지 하베스팅 시스템
출원번호 : 10-2021-0146996 (2021.10.29)
151 태양전지와 열전소자를 이용한 에너지 하베스팅 시스템
출원번호 : 10-2021-0146995 (2021.10.29)
150 상전이 물질을 포함하는 열전소자를 이용한 에너지 하베스팅 시스템
출원번호 : 10-2021-0146994 (2021.10.29)
149 피드백 루프 동작을 이용하는 피드백 전계효과 전자소자 및 이를 이용한 배열회로
출원번호 : 10-2018-0106114 (2018.09.05)
148 가변형 로직 인 메모리 셀
출원번호 : 10-2021-0136713 (2021.10.14)
147 실리콘 다이오드들을 이용한 스테이트풀 로직 인 메모리
출원번호 : 10-2021-0136449 (2021.10.14)
146 실리콘 트랜지스터를 이용한 가변형 로직 인 메모리 소자
출원번호 : 10-2021-0102728 (2021.08.04)
145 피드백 전계효과 전자소자를 이용한 로직 인 메모리 인버터
출원번호 : 10-2021-0088865 (2021.07.07)
144 실리콘 트랜지스터를 이용한 가변형 로직 인 메모리 소자
출원번호 : 110131836 (2021.08.27) [대만]
143 실리콘 트랜지스터를 이용한 가변형 로직 인 메모리 소자
출원번호 : 17/412,485 (2021.08.26) [미국]
142 피드백 전계효과 전자소자를 이용한 로직 인 메모리 인버터
출원번호 : 110131382 (2021.08.25) [대만]
141 피드백 전계효과 전자소자를 이용한 로직 인 메모리 인버터
출원번호 : 17/411,353 (2021.08.25) [미국]
140 Feedback field-effect electronic device using feedback loop operation and array circuit using feedback field-effect electronic device
등록번호 : US 10,930,334 B2 (2021.02.23) [미국]
139 복수의 양면 올인원 에너지 장치가 수직 적층된 통합형 양면 올인원 에너지 시스템
출원번호 : 10-2021-0002414 (2021.01.08)
138 공간 분해능이 향상된 프로브 스테이션장치
등록번호 : 10-2230359 (2021.03.16)
137 단일 실리콘 소자를 이용한 스파이크 펄스 발생 회로
출원번호 : 202110186225.0 (2021.02.08) [중국]
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