logo

Publication

HOME > Publication > Patents

Patents

Welcome to KOREA nanotronics

   국내특허등록|
   국내특허출원|
   해외특허등록|
   해외특허출원
86 열전발전모듈 및 그 제조방법
출원번호 : 2015-175124 (2015.09.04) [일본]
85 플렉서블 열전발전모듈 및 그 제조방법
출원번호 : 14/840,976 (2015.08.31) [미국]
84 수직 반도체 컬럼을 구비한 듀얼 게이트 메모리 소자
출원번호 : 10-2016-0057961 (2016.05)
83 반도체 소자 및 반도체 소자 제조 방법
등록번호 : 10-1602911 (2016.03.07)
82 EXOTHERMIC PLATE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
등록번호 : 05068777 (2012.08.24) [일본]
81 소자 열 및 전기 특성 동시 측정 프로브 스테이션 장치
등록번호 : 10-1564514 (2015.10.23)
80 소자 열 및 전기 특성 동시 측정 프로브 스테이션 장치
출원번호 : 14/792,696 (2015.07) [미국]
79 반도체 소자 및 반도체 소자 제조 방법
출원번호 : 14/604,127 (2015.01) [미국]
78 발열 판재 및 제작 방법
출원번호 : 09152525.3 (2009.02) [유럽]
77 발열 판재 및 제작 방법
출원번호 : 12/368337 (2009.02) [미국]
76 발열 판재 및 제작 방법
출원번호 : 27852/2009 (2009.02) [일본]
75 Nonvolatile memeory electronic device composed of nanowire channel and nanoparticles-floating gate nodes and a method for fabricating the same
출원번호 : 12/029528 (2008.02) [미국]
74 Nonvolatile memeory electronic device composed of nanowire channel and nanoparticles-floating gate nodes and a method for fabricating the same
출원번호 : 102008009365.3 (2008.02) [독일]
73 Nonvolatile memeory electronic device composed of nanowire channel and nanoparticles-floating gate nodes and a method for fabricating the same
출원번호 : 0802436.6 (2008.02) [영국]
72 Nonvolatile memeory electronic device composed of nanowire channel and nanoparticles-floating gate nodes and a method for fabricating the same
출원번호 : 2008-32320 (2008.02) [일본]
71 Nonvolatile memeory electronic device composed of nanowire channel and nanoparticles-floating gate nodes and a method for fabricating the same
출원번호 : 200810007252.1 (2008.02) [중국]
70 Thin-film transistor and logic circuit using nano-crystaline thin-film as active layer and mechod for fabricating the same
출원번호 : 102008009022.0 (2008.02) [독일]
69 Thin-film transistor and logic circuit using nano-crystaline thin-film as active layer and mechod for fabricating the same
출원번호 : 0802637.9 (2008.02) [영국]
68 Top-gate thin-film transistors using nanoparticles and method of manufacturing the same
출원번호 : 11/623775 (2007.01) [미국]
67 Top-gate thin-film transistors using nanoparticles and method of manufacturing the same
출원번호 : 2007-7284 (2007.01) [일본]
66 Top-gate thin-film transistors using nanoparticles and method of manufacturing the same
출원번호 : 200710000776.3 (2007.01) [중국]
65 Integrated circuit device gate structures and methods of forming the same
공개번호 : US 2007/0128846 A1 (2007.06) [미국]
64 Nano crystal nonvolatile semiconductor integrated circuit device and fabrication A1 : 13
출원번호 : 11/510058 (2006.08) [미국]
63 Nano-line semiconductor device having a cylindricalgate and fabrication method there of
출원번호 : 11/422663 (2006.06) [미국]
62 Semiconductor devices having nano-line channels and methods of fabricationg the same
공개번호 : US 2007/0072335 A1 (2007.05) [미국]
61 Photodetector using nanoparticles
공개번호 : US 2006/0097247 A1 (2006.05) [미국]
60 Heat generation sheet and method of fabricating the same
등록번호 : 08263905 (2012.09.11) [미국]
59 Nonvolatile memory of nanowire and nanoparticles combination and method for manufacturing thereof
등록번호 : ZL200810007252.1 (2011.08.17) [중국]
58 Top-Gate Thin-Film Transistors Using Nanoparticles and Method of Manufacturing the Same
등록번호 : 07972931 (2011.07.05) [미국]
57 Photodetector using nanoparticles
등록번호 : 07906361 (2011.03.15) [미국]
56 A top gate thin film transistor using nano particle and a method for manufacturing thereof
등록번호 : CN ZL200710000776.3 (2011.01.19) [중국]
55 Nonvolatile memory electronic device composed of nanowire channel and nanoparticles-floating gate nodes
등록번호 : GB 2446930 (2010.05.26) [영국]
54 Thin-film transistor and logic circuit using nano-crystaline thin-film as active layer and mechod for fabricating the same
등록번호 : DE 10-2008-009-022 B3 (2009.11.26) [독일]
53 Nonvolatile memory electronic device and its manufacture method
등록번호 : CN 200810007252.1 (2008.08) [중국]
52 Photodetector using nanoparticles
등록번호 : US 2006/0097247 A1 (2006.05) [미국]
51 단결정 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터 및 그 제조방법
출원번호 : 10-1337267 (2013.11)
50 발열 판재 및 그 제조방법
출원번호 : 10-2013-0078038 (2013.07)
49 투명 기판 또는 플렉시블 기판을 이용한 투명 또는 플렉서블한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
출원번호 : 10-1268696 (2013.05)
48 실리콘 나노와이어 제조 방법 및 실리콘 나노와이어를 갖는 전자 소자
출원번호 : 10-2012-0022676 (2012.03)
47 플래쉬 메모리에서의 프로그래밍/이레이즈 문턱전압 윈도우 향상 기법
출원번호 : (2012.03)
46 저항 변화 스위치 기반의 논리 및 메모리 소자 및 그 제조 방법
출원번호 : 10-2012-0001516 (2012.01)
45 단결정 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터 및 그 제조방법
출원번호 : PCT/KR2012/000079 (2012.01)
44 저항 변화 메모리 소자 및 그 제조방법
출원번호 : 10-2012-0001514 (2012.01)
43 발열 판재 및 그 제조방법
출원번호 : 10-2011-0094892 (2011.09)
42 발열 판재의 제조방법
출원번호 : 10-2011-0094893 (2011.09)
41 토스터
출원번호 : 10-2011-009894 (2011.09)
40 나노선과 나노입자막으로 구성된 p n 이종접합 다이오드 및 이를 제조하는 방법
출원번호 : 10-2009-0067526 (2009.07)
39 투명 기판 또는 플렉시블 기판을 이용한 투명 또는 플렉서블한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
출원번호 : 10-2009-0067518 (2009.07)
38 나노파티클 포토 센서 및 그 제조 방법
출원번호 : 10-2009-0002385 (2009.01)
37 발열 판재 및 제작 방법
출원번호 : 10-2008-0091297 (2008.09)
1 23 4