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Welcome to KOREA nanotronics

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62 Semiconductor devices having nano-line channels and methods of fabricationg the same
공개번호 : US 2007/0072335 A1 (2007.05) [미국]
61 Photodetector using nanoparticles
공개번호 : US 2006/0097247 A1 (2006.05) [미국]
60 Heat generation sheet and method of fabricating the same
등록번호 : 08263905 (2012.09.11) [미국]
59 Nonvolatile memory of nanowire and nanoparticles combination and method for manufacturing thereof
등록번호 : ZL200810007252.1 (2011.08.17) [중국]
58 Top-Gate Thin-Film Transistors Using Nanoparticles and Method of Manufacturing the Same
등록번호 : 07972931 (2011.07.05) [미국]
57 Photodetector using nanoparticles
등록번호 : 07906361 (2011.03.15) [미국]
56 A top gate thin film transistor using nano particle and a method for manufacturing thereof
등록번호 : CN ZL200710000776.3 (2011.01.19) [중국]
55 Nonvolatile memory electronic device composed of nanowire channel and nanoparticles-floating gate nodes
등록번호 : GB 2446930 (2010.05.26) [영국]
54 Thin-film transistor and logic circuit using nano-crystaline thin-film as active layer and mechod for fabricating the same
등록번호 : DE 10-2008-009-022 B3 (2009.11.26) [독일]
53 Nonvolatile memory electronic device and its manufacture method
등록번호 : CN 200810007252.1 (2008.08) [중국]
52 Photodetector using nanoparticles
등록번호 : US 2006/0097247 A1 (2006.05) [미국]
51 단결정 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터 및 그 제조방법
출원번호 : 10-1337267 (2013.11)
50 발열 판재 및 그 제조방법
출원번호 : 10-2013-0078038 (2013.07)
49 투명 기판 또는 플렉시블 기판을 이용한 투명 또는 플렉서블한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
출원번호 : 10-1268696 (2013.05)
48 실리콘 나노와이어 제조 방법 및 실리콘 나노와이어를 갖는 전자 소자
출원번호 : 10-2012-0022676 (2012.03)
47 플래쉬 메모리에서의 프로그래밍/이레이즈 문턱전압 윈도우 향상 기법
출원번호 : (2012.03)
46 저항 변화 스위치 기반의 논리 및 메모리 소자 및 그 제조 방법
출원번호 : 10-2012-0001516 (2012.01)
45 단결정 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터 및 그 제조방법
출원번호 : PCT/KR2012/000079 (2012.01)
44 저항 변화 메모리 소자 및 그 제조방법
출원번호 : 10-2012-0001514 (2012.01)
43 발열 판재 및 그 제조방법
출원번호 : 10-2011-0094892 (2011.09)
42 발열 판재의 제조방법
출원번호 : 10-2011-0094893 (2011.09)
41 토스터
출원번호 : 10-2011-009894 (2011.09)
40 나노선과 나노입자막으로 구성된 p n 이종접합 다이오드 및 이를 제조하는 방법
출원번호 : 10-2009-0067526 (2009.07)
39 투명 기판 또는 플렉시블 기판을 이용한 투명 또는 플렉서블한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
출원번호 : 10-2009-0067518 (2009.07)
38 나노파티클 포토 센서 및 그 제조 방법
출원번호 : 10-2009-0002385 (2009.01)
37 발열 판재 및 제작 방법
출원번호 : 10-2008-0091297 (2008.09)
36 투명 면상 히터 및 그 제조 방법
출원번호 : 10-0861787 (2008.09)
35 나노입자를 이용한 배선 및 전극패턴 형성 방법 및 이를이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법
출원번호 : 10-2008-0046075 (2008.05)
34 발열 판재 및 그 제조방법
출원번호 : 10-2008-0035221 (2008.04)
33 소결에 의해 연결된 나노 분말을 이용한 가스센서 제작방법
출원번호 : 10-2008-14394 (2008.02)
32 비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법
출원번호 : 10-2007-19281 (2007.02)
31 접합된 나노입자를 이용한 수광소자
출원번호 : 10-2007-18271 (2007.02)
30 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법
출원번호 : 10-2007-18259 (2007.02)
29 포토리소그래피를 이용한 실린더형 게이트를 갖는 나노선 반도체장치의 제조방법
출원번호 : 10-2005-0048709 (2005.06)
28 나노입자를 이용한 배선 및 전극패턴 형성 방법 및 이를이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법
등록번호 : 10-1466787 (2014.11.24)
27 저항 변화 스위치 기반의 논리 및 메모리 소자 및 그 제조 방법
등록번호 : 10-1384517 (2014.04.07)
26 단결정 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터 및 그 제조방법
등록번호 : 10-1337267 (2013.11.29)
25 투명 기판 또는 플렉시블 기판을 이용한 투명 또는 플렉서블한 비휘발성 메모리 소자 제조방법
등록번호 : 10-1268696 (2013.05.22)
24 나노선과 나노입자막으로 구성된 pn 이종접합 다이오드 및 이를 제조하는 방법
등록번호 : 10-1064482 (2011.09.05)
23 발열 판재 및 그 제조방법
등록번호 : 10-0979278 (2010.08.25)
22 비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법
등록번호 : 10-0955879 (2010.04.26)
21 나노선나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법
등록번호 : 10-0885193 (2009.02.17)
20 투명 면상 히터 및 그 제조 방법
등록번호 : 10-0861787 (2008.09.29)
19 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법
등록번호 : 10-0850905 (2008.08.01)
18 나노 입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 및 그제조 방법
등록번호 : 10-0803167 (2008.02.04)
17 플렉시블 기판 상에 나노 입자를 이용한 전면 게이트 박막트랜지스터 및 그 제조 방법
등록번호 : 10-0792407 (2008.01.02)
16 나노 입자를 이용한 전면 게이트 박막트랜지스터 및 그 제조 방법
등록번호 : 10-0777265 (2007.11.12)
15 실린더형 게이트를 갖는 나노-라인 반도체 소자 및 그 제조방법
등록번호 : 10-0755367 (2007.08.29)
14 나노 크리스탈 비휘발성 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법
등록번호 : 10-0735534 (2007.06.28)
13 프라세오디뮴과 망간이 도핑된 황화아연 나노입자 백색광재료 제조 방법 및 발광효율 증대 방법
등록번호 : 10-0712201 (2007.04.20)
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